Smd三极管

组装密度高，电子产品尺寸小，重量轻。 SMD晶体管的体积和重量仅为传统三极管的1/10左右。
通常使用SMT后，三极管的体积减少40 [％] ~60 [％]，重量减少60 [％]。 ]〜80 [％]。
可靠性高，抗振能力强。焊点缺陷率低。
高频特性很好。减少电磁和射频干扰。
易于自动化并提高生产率。降低成本30 [％] ~50 [％]。
节省材料，能源，设备，人力，时间等.smd晶体管的主要测试项目包括：可焊性，引脚共面性和可用性，应由检验部门进行采样。可以通过将元件体浸入235±5℃或230±5℃的锡罐中的不锈钢镊子中，并在2±0.2s或3±0.5s下取出来检测smd晶体管的可焊性。
。在20倍显微镜下检查焊接端的焊锡，并且需要超过smd晶体管焊接端的90％。
由于加工车间可以进行以下目视检查：1。可视或用放大镜检查smd晶体管的焊接端或引脚表面是否被氧化或没有污染物。
2. smd晶体管的标称值，规格，型号，精度和外部尺寸应符合产品工艺要求。 3. smd晶体管的引脚不会变形。
对于引脚间距为0.65 mm或更小的多引线QFP器件，引脚共面性应小于0.1 mm（可由安装器光学检测）。 4.清洁所需的产品，清洁后的部件标记不会脱落，并且不影响部件的性能和可靠性（清洁后的目视检查）。
从发射极区域发射到基极区域的电子发射源Ub经由电阻器Rb施加到发射极结，并且发射极结正向偏置。发射极区域中的大多数载流子（自由电子）连续地穿过发射极结进入基极区域以形成发射极电流Ie。
。同时，基极区域中的大多数载流子也扩散到发射极区域。
然而，由于多数载流子浓度远低于发射极区域中的载流子浓度，因此可以忽略该电流。因此，可以认为发射极结主要是电子流。
2.在基区中电子扩散并且复合电子进入基区之后，它们在发射极结附近密集，并逐渐形成电子浓度差。在浓度差的作用下，电子流扩散到基区的集电极结中。
集电极电场被吸入集电极区域以形成集电极电流Ic。还有一小部分电子（因为基极区非常薄）与基区中的空穴重新结合，并且扩散电子流与复合电子流的比率决定了smd晶体管的放大能力。
3.在集电极区域收集电子由于集电极结具有较大的反向电压，由此反向电压产生的电场力将阻止集电极区域中的电子扩散到基极区域，同时电子扩散收集器节点附近将被绘制到集合中。因此，电区域形成集电极主电流Icn。
此外，集电极区域中的少数载流子（空穴）也产生漂移运动，漂移运动流向基极区域以形成反向饱和电流，其由Icbo表示，Icbo值小但对温度极其敏感。 1.特征频率fT当f = fT时，三极管完全失去电流放大功能。
如果工作频率大于fT，电路将无法正常工作。 2.工作电压/电流使用此参数指定电子管的电压和电流使用范围。
3 hFE电流放大系数。 4. VCEO集电极发射极反向击穿电压，表示饱和电压处于临界饱和状态。
5. PCM最大允许耗散功率。 6.包装形式指定管的形状，如果其他参数正确，不同的包将导致组件未在板上实现。

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