为了应对多种过压挑战，豪集团创建了创新的TVS保护设备

如今，智能手机已成为人们日常生活必需品。

自2016年以来，为了满足手机快速充电技术的需求，USB Type-C接口应运而生。

由于这种类型的支持双面插入的接口的特征，导致了“ USB不能正确插入”这一全球性问题。

已经解决了。

因此，这种类型的设备接口也受到了大多数用户的青睐。

随着主要手机制造商之间的激烈竞争，USB Type-C接口几乎已成为智能手机的标准配置。

在使用过程中，USB Type-C接口需要支持热插拔功能，因此更容易受到EOS过压应力（例如ESD静电放电和电涌低压浪涌过冲）的影响，这将永久损坏USB接口。

后端芯片过压保护要求和提高的端口抗干扰能力，对于USB C型端口电子电路的EOS过应力保护已变得尤为重要。

TVS保护原理图目前，市场上的上限电压过压保护器件主要包括压敏电阻MOV，聚合物ESD和瞬态电压抑制器TVS。

其中，TVS（瞬态电压抑制器）作为一种新型的高效电路保护装置，以其出色的钳位功能，更低的击穿电压，更小的封装和稳定的电气特性而被广泛使用。

在实际使用中，TVS具有响应速度快，钳位电压低的特点。

在线路或设备损坏之前，它可以快速有效地抑制瞬态脉冲。

它用于处理由静电和电感性负载的切换以及热插拔产生的瞬态电压。

当拉出产生过电压冲击时，它具有更理想的性能。

在过压保护领域，Howell集团的子公司Weir Semiconductor一直致力于TVS工艺特性的研究和开发。

在传统的DIODE工艺的基础上，结合触发管的工艺特性，设计了一种新型的NPN高压工艺特性保护装置，该新型工艺TVS器件具有超低的钳位电压特性，优于传统工艺TVS的保护效果。

它为USB Type-C端口提供了全面的过压保护解决方案，具有更好的保护效果。

目前，伟尔半导体推出的三种电路保护器件ESD56161D30，ESD63091CN和ESD56371N均为NPN工艺TVS器件，主要用于USB C型端口电源和信号线的过压保护。

其中，VBUS端口保护设备ESD56161D30采用DFN 2020-3L封装技术。

它是一种单向TVS产品，具有低钳位电压（Vcl）和高脉冲峰值电流（IPP）特性，可用于保护连接到电源线的敏感电缆。

保护电子组件免受ESD（静电放电）和SURGE（电涌）引起的过电应力。

目前，工业上的TVS保护设备通常为5V / 9V / 12V充电端口提供过压保护。

然而，随着对“快速充电”的需求的增加，越来越多的人开始使用这种设备。

智能手机的功能，它针对更高的充电电压（20V）的过电压。

保护已成为一种技术发展趋势。

ESD56161D30不仅可以满足20V高压快速充电过压保护，而且还可以提供最大30V的反向关断电压，提高VBUS电源线的正常DC过压能力，并更好地适应日益严格的Type的VBUS电源线-C端口保护要求。

ESD56161D30的封装和电气参数：（TYPE-C：VBUS-20V快速充电源线过电压保护）DFN2020-3L除了单向TVS产品外，威尔半导体还推出了以ESD56371N和ESD63091CN代表的高压双向通用电容和低容量TVS产品，ESD56371N主要为Type-C接口CC / SBU信号线提供过压保护，ESD63091CN主要为Type-C接口D + D-信号线提供过压保护，两个保护器件均可以同时满足15V高的支持要求在8 / 20us波形下可承受电压，高电流和低钳位电压（请参见下图）。

其中，DFN 1006-2L封装中的ESD56371N可以考虑到静电和低压浪涌的综合保护性能，并且可以提供高达±30kV的ESD保护，并可以承受高达22A（8 / 20us）的峰值脉冲电流。

ESD63091CN具有一对内置的低容量二极管，这些二极管旨在保护高速数据接口，从而可以保护电子组件免受EOS过压损坏并提供更好的保护。