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光电晶体管

光电二极管的结构类似于普通二极管的结构，除了它的PN结安装在外壳的顶部，并且光通过由透镜制成的窗口，该窗口可以集中在PN结上。图7-1-10a是该结构的示意图。
光电二极管通常在电路中反向偏置，如图7-1-10c所示。我们知道，当PN结施加反向电压时，反向电流的大小取决于P和N区域中少数载流子的浓度，以及P区域中的少数载流子（电子）和N区域没有照明。
载流子（空穴）很少，因此反向电流很小。然而，当PN结被照射时，只要光子能量h大于材料的禁带宽度，就会在PN结及其附近产生光生电子 - 空穴对，从而使少数载流子浓度在P区和N区大大增加。
通过在PN结中分别施加反向电压和电场，在两个方向上穿过PN结来施加取向运动，从而显着增加反向电流。如果入射光的照度改变，则光生电子 - 空穴对的浓度将相应地改变，并且通过外部电路的光电流的强度也将改变，并且光电二极管将光信号转换成电信号。
当入射照度恒定时，光电晶体管的相对灵敏度随光波的波长而变化。光电晶体管仅对特定波长范围内的人体光敏感。
这是光电晶体管的光谱特性，见图7-1-13。不同光照下光电晶体管的伏安特性与不同基极电流下的普通三极管的伏安特性相同，如图7-1-13所示。
这里改变照明相当于改变一般三极管的基极电流以获得这样的曲线簇。它指的是当施加的偏置电压恒定时光电晶体管的输出电流与照度之间的关系。
一般来说，光电二极管的光电性是线性的，而光电晶体管的光照小，光电流随着照度的增加而增加，当光照足够大时，输出电流饱和。这是因为光电晶体管的电流放大在小电流和大电流下都下降。
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