肖特基整流二极管

在金属（例如，铅）和半导体（N型硅晶片）之间的界面上，形成的肖特基用于阻挡反向电压。

肖特基和PN结整流原理之间存在根本区别。

它的耐压仅为40V左右。

其特点是切换速度非常快：反向恢复时间特别短。

因此，可以制造开关二极管和低压大电流整流二极管。

以下是一些常用的肖特基二极管模型，以及耐压和整流电流值：肖特基整流器的结构原理与PN结整流器有很大不同。

PN结整流器通常称为结整流器。

金属半导体整流器称为肖特基整流器。

近年来，还引入了采用硅平面技术制造的铝硅肖特基二极管，不仅节省了贵金属，大大降低了成本，而且提高了参数的一致性。

性别。

肖特基整流器仅使用一种载流子（电子）来传输电荷，并且在势垒外部没有过多的少数载流子累积。

因此，没有电荷存储问题（Qrr→0），这使得开关特性可见。

提高。

其反向恢复时间可缩短至10ns以下。

但是，它的反向耐压很低，一般不会超过100V。

因此，它适合在低电压和高电流条件下工作。

凭借其低压降，它可以提高低电压，高电流整流（或续流）电路的效率。

微波整流天线结构示意图如图1所示。

矩形波导中肖特基二极管整流电路的完整电路模型如图2所示，其中cj为结电容，R为串联电阻， C是隔直流电容器。

L是湍流电感器。

封装引入的寄生参数基本上是反应性的。

该封装的寄生电抗可以通过电抗匹配技术和改进的电路形式来克服，因此在等效模型中可以忽略这两个参数。

虚线框中示出了肖特基二极管的简化模型。